انتاج أول شريحة ذاكرة بتقنية 25 نانومتر من صناعة
انتل
أنتجت إنتل Intel بالتعاون مع شركة مايكرون تكنولوجي Micron
Technology أول شريحة ذاكرة من نوع NAND بتقنية 25 نانومتر.
وتتيح التقنية الجديدة إمكانية الحصول على ذاكرة تخزين
ذات كثافة أكبر وسرعة تبادل بيانات أعلى، وتناسب الهواتف المحمولة والذكية والأقراص
الصلبة الساكنة.
ويمكن من خلال التقنية الجديدة تخزين 8GB من البيانات في شريحة
واحدة من رقاقات NAND التي تبلغ مساحتها 167 مم مربع فقط، وسيتاح إنتاج هذه الشرائح
بشكل نهائي في النصف الثاني من العام الحالي.
وكانت كلاً من إنتل ومايكرون قد
عملتا معاً على أنتاج ذواكر بتقنية 50 نانومتر ثم 34 نانوميتر، وتوصلتا الآن إلى
إنتاج شرائح ذاكرة بتقنية 25 نانوميتر بحيث تؤمن سعة تخزين أكبر في أصغر مساحة
ممكنة.
انتل
أنتجت إنتل Intel بالتعاون مع شركة مايكرون تكنولوجي Micron
Technology أول شريحة ذاكرة من نوع NAND بتقنية 25 نانومتر.
وتتيح التقنية الجديدة إمكانية الحصول على ذاكرة تخزين
ذات كثافة أكبر وسرعة تبادل بيانات أعلى، وتناسب الهواتف المحمولة والذكية والأقراص
الصلبة الساكنة.
ويمكن من خلال التقنية الجديدة تخزين 8GB من البيانات في شريحة
واحدة من رقاقات NAND التي تبلغ مساحتها 167 مم مربع فقط، وسيتاح إنتاج هذه الشرائح
بشكل نهائي في النصف الثاني من العام الحالي.
وكانت كلاً من إنتل ومايكرون قد
عملتا معاً على أنتاج ذواكر بتقنية 50 نانومتر ثم 34 نانوميتر، وتوصلتا الآن إلى
إنتاج شرائح ذاكرة بتقنية 25 نانوميتر بحيث تؤمن سعة تخزين أكبر في أصغر مساحة
ممكنة.
